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TMCNet:  Toshiba Memory Corporation Desarrolla la Primera Memoria Flash 3D con Tecnolog�a TSV

[July 11, 2017]

Toshiba Memory Corporation Desarrolla la Primera Memoria Flash 3D con Tecnolog�a TSV

Toshiba Memory Corporation, la empresa l�der a nivel mundial en soluciones de memoria, anunci� hoy que ha desarrollado la primera [1] memoria tridimensional (3D) BiCS FLASH™[2], con tecnolog�a de v�as que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV)[3] y de 3 bits por celda (celda de triple nivel, TLC en ingl�s). El env�o de prototipos para desarrollo comenz� en el mes de junio y est� programado lanzar muestras del producto en el segundo semestre de 2017. El prototipo de este innovador dispositivo se presentar� en la Flash Memory Summit 2017, que tendr� lugar del 7 al 10 de agosto en Santa Clara, California, EE.�UU.

Esta edici�n de Smart News Release (comunicado de prensa inteligente) incluye contenidos multimedia. Vea aqu� la publicaci�n completa: http://www.businesswire.com/news/home/20170711006310/es/

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

Los dispositivos fabricados con la tecnolog�a TSV poseen electrodos verticales y v�as que pasan a trav�s de �dies� de silicio para proporcionar las conexiones. Esta arquitectura logra que la entrada y salida de datos se realice a alta velocidad al tiempo que reduce el consumo energ�tico. El funcionamiento real de esta tecnolog�a ya se ha comprobado previamente, con la introducci�n de la memoria Flash NAND 2D de Toshiba (News - Alert) [4].

Gracias a la combinaci�n de un proceso de flash 3D de 48 capas con la tecnolog�a TSV, Toshiba Memory Corporation ha conseguido aumentar el ancho de banda de programaci�n del producto, lo que permite lograr un bajo consumo energ�tico. La eficiencia energ�tica[5] de un solo paquete es de aproximadamente[6] el doble que la de la memoria de la misma generaci�n BiCS FLASH™ fabricada con tecnolog�a �wire-bonding�. La BiCS FLASH™ con TVS tambi�n permite ofrecer un dispositivo de 1 terabyte (TB) con una arquitectura de 16 �dies� apilados en un solo paquete.

Toshiba Memory Corporation comercializar� la BiCS FLASH™ con tecnolog�a TSV para ofrecer una soluci�n ideal para aplicaciones de almacenamiento que requieren una baja latencia, un ancho de banda elevado y un alto rendimiento de IOPS[7]/vatios, incluidas las unidades SSD de empresas de alta gama.



Especificaciones generales (prototipo)

Tipo de paquete NAND Dual x8 BGA-152
Capacidad de almacenamiento 512�GB 1�TB
N�mero de pilas 8 16
Dimensiones externas Ancho 14�mm 14�mm
Profundidad 18�mm 18�mm
Altura 1,35�mm 1,85�mm
Interfaz DDR alterno
Velocidad m�xima de interfaz 1066�Mbps

Nota:

[1] Fuente: Toshiba Memory Corporation, a partir del 11 de julio de 2017.
[2] Una estructura que apila verticalmente c�lulas de memoria Flash sobre una base de silicio para lograr mejoras significativas de densidad en comparaci�n con la memoria Flash NAND plana, donde las c�lulas se forman en la base de silicio.
[3] Through Silicon Via: la tecnolog�a que tiene electrodos verticales y v�as para pasar por el silicio los �dies� de conexi�n en un solo paquete.
[4] �Toshiba Develops World's First 16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology�
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] La tasa de transferencia de datos por unidad de energ�a. (MB/s/W)
[6] En comparaci�n con los productos actuales de Toshiba Memory Corporation.
[7] Entrada/salida por segundo (Input/Output per Second): La cantidad de entradas y salidas de datos que se procesan mediante un puerto de E/S por segundo. Un valor m�s alto representa un mejor rendimiento.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versi�n oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptaci�n y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la �nica versi�n del texto que tendr� un efecto legal.


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